ZnGeP2 — Eng gesättigte Infrarout-Netlinear-Optik
Produktbeschreiwung
Wéinst dësen eenzegaartegen Eegeschaften ass et als ee vun de villverspriechendsten Materialien fir netlinear optesch Uwendungen bekannt. ZnGeP2 kann eng kontinuéierlech ofstëmmend Laserleistung vun 3–5 μm duerch d'optesch parametresch Oszillatiounstechnologie (OPO) generéieren. Laseren, déi am atmosphäreschen Transmissiounsfenster vun 3–5 μm funktionéieren, si vu grousser Bedeitung fir vill Uwendungen, wéi Infrarout-Géigemoossnamen, chemesch Iwwerwaachung, medizinesch Apparater a Fernerkundung.
Mir kënnen ZnGeP2 vun héijer optescher Qualitéit mat engem extrem niddregen Absorptiounskoeffizient α < 0,05 cm-1 (bei Pompelwellelängten 2,0-2,1 µm) ubidden, deen benotzt ka ginn, fir e mëttleren Infrarout-ofstëmmenbare Laser mat héijer Effizienz duerch OPO- oder OPA-Prozesser ze generéieren.
Eis Kapazitéit
Dynamesch Temperaturfeldtechnologie gouf entwéckelt an ugewannt fir d'Synthese vu polykristallinem ZnGeP2. Mat dëser Technologie goufen iwwer 500 g héichreinem ZnGeP2 polykristallin mat risege Kären an engem Laf synthetiséiert.
D'Horizontal Gradient Freeze-Method a Kombinatioun mat der Directional Necking Technologie (déi d'Dislokatiounsdicht effizient reduzéiere kann) gouf erfollegräich fir de Wuesstum vun héichwäertegem ZnGeP2 ugewannt.
Dat héichqualitativt ZnGeP2 op Kilogrammniveau mam weltgréissten Duerchmiesser (Φ55 mm) gouf erfollegräich mat der Vertical Gradient Freeze Method ugebaut.
D'Uewerflächenrauheet an -flaachheet vun de Kristallbauelementer, manner wéi 5 Å respektiv 1/8λ, goufen duerch eis Trap Fine-Uewerflächenbehandlungstechnologie kritt.
Déi lescht Wénkelofwäichung vun de Kristallapparater ass manner wéi 0,1 Grad wéinst der Uwendung vun enger präziser Orientéierung a präzise Schnëtttechniken.
D'Apparater mat exzellenter Leeschtung goufen duerch déi héich Qualitéit vun de Kristaller an déi héichwäerteg Kristallveraarbechtungstechnologie erreecht (den 3-5μm ofstëmmenbare Mëttelinfraroutlaser gouf mat enger Konversiounseffizienz vu méi wéi 56% generéiert, wann e vun enger 2μm Liichtquell gepompelt gëtt).
Eis Fuerschungsgrupp huet, duerch kontinuéierlech Exploratioun an technesch Innovatioun, d'Synthesetechnologie vu polykristallinem ZnGeP2 mat héijer Rengheet, d'Wuesstechnologie vu groussen an héichqualitativen ZnGeP2- a Kristallorientéierungs- a Präzisiounsveraarbechtungstechnologie erfollegräich beherrscht; si kann ZnGeP2-Apparater an originell ugebaut Kristaller a Masseskala mat héijer Uniformitéit, nidderegem Absorptiounskoeffizient, gudder Stabilitéit an héijer Konversiounseffizienz ubidden. Gläichzäiteg hu mir eng ganz Rei vu Kristallleistungs-Testplattformen etabléiert, déi et eis erméiglecht, Kristallleistungs-Testservicer fir Clienten unzebidden.
Uwendungen
● Zweet, drëtt a véiert harmonesch Generatioun vum CO2-Laser
● Optesch parametresch Generatioun mat Pompelen bei enger Wellelängt vun 2,0 µm
● Zweet harmonesch Generatioun vum CO-Laser
● Produktioun vu kohärenter Stralung am Submillimeterberäich vun 70,0 µm bis 1000 µm
● Generatioun vu kombinéierte Frequenzen vun CO2- a CO-Laserstralung an aner Laser schaffen am Kristalltransparenzberäich.
Basis Eegeschaften
| Chemesch | ZnGeP2 |
| Kristallsymmetrie a Klass | tetragonal, -42m |
| Gitterparameter | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Dicht | 4,162 g/cm3 |
| Mohs-Härkeet | 5.5 |
| Optesch Klass | Positiv uniaxial |
| Nëtzlech Transmissiounsreechwäit | 2,0 µm - 10,0 µm |
| Wärmeleitfäegkeet @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥c) |
| Thermesch Expansioun @ T = 293 K bis 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 10⁶ K⁻¹ (∥ c) |
Technesch Parameteren
| Duerchmiesser Toleranz | +0/-0,1 mm |
| Längtetoleranz | ±0,1 mm |
| Orientéierungstoleranz | <30 Bogenminutten |
| Uewerflächenqualitéit | 20-10 SD |
| Flaachheet | <λ/4@632.8 nm |
| Parallelismus | <30 Bogensekonnen |
| Senkrechtheet | <5 Bogenminuten |
| Fase | <0,1 mm x 45° |
| Transparenzberäich | 0,75 - 12,0 µm |
| Netlinear Koeffizienten | d36 = 68,9 pm/V (bei 10,6 μm) d36 = 75,0 pm/V (bei 9,6 μm) |
| Schuedschwell | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
