ZnGeP2 - Eng Saturated Infrarout Netlinear Optik
Produit Beschreiwung
Wéinst dësen eenzegaartegen Eegeschaften ass et bekannt als ee vun de villverspriechendste Materialien fir net-linear optesch Uwendungen. ZnGeP2 kann 3-5 μm kontinuéierlech tunable Laser Output duerch d'optesch parametresch Schwéngung (OPO) Technologie generéieren. Laser, déi an der atmosphärescher Iwwerdroungsfenster vun 3-5 μm operéieren, si vu grousser Wichtegkeet fir vill Uwendungen, wéi Infrarout-Kontermoossnamen, chemesch Iwwerwaachung, medizinescht Apparat a Fernsensing.
Mir kënnen héich optesch Qualitéit ZnGeP2 mat extrem nidderegen Absorptiounskoeffizient α < 0,05 cm-1 (bei Pompelwellelängten 2,0-2,1 µm) ubidden, wat benotzt ka ginn fir Mid-Infrarout-tunable Laser mat héijer Effizienz duerch OPO oder OPA Prozesser ze generéieren.
Eis Kapazitéit
Dynamic Temperature Field Technology gouf erstallt an applizéiert fir ZnGeP2 polykristallin ze synthetiséieren. Duerch dës Technologie gouf méi wéi 500g héich Rengheet ZnGeP2 polykristallin mat grousse Kären an engem Laf synthetiséiert.
Horizontal Gradient Freeze Method kombinéiert mat Directional Necking Technology (déi d'Dislokatiounsdicht effizient erofsetzen kann) gouf erfollegräich fir de Wuesstum vun héichqualitativen ZnGeP2 applizéiert.
De Kilogramm-Niveau qualitativ héichwäerteg ZnGeP2 mat dem gréissten Duerchmiesser vun der Welt (Φ55 mm) gouf erfollegräich duerch Vertical Gradient Freeze Method ugebaut.
D'Uewerflächenrauheet an d'Flaachheet vun de Kristallapparater, manner wéi 5Å respektiv 1/8λ, goufen duerch eis Trap fein Uewerflächbehandlungstechnologie kritt.
D'Finale Wénkel deviation vun de Kristallsglas produzéiert Apparater ass manner wéi 0,1 Grad wéinst der Applikatioun vun präzis Orientéierung a präzis opzedeelen Techniken.
D'Apparater mat exzellenter Leeschtung goufen erreecht wéinst der héijer Qualitéit vun de Kristalle an héijer Kristallveraarbechtungstechnologie (Den 3-5μm mëttleren Infrarout tunable Laser gouf mat der Konversiounseffizienz méi wéi 56% generéiert wann se vun engem 2μm Liicht gepompelt ginn. Quelle).
Eis Fuerschungsgrupp, duerch kontinuéierlech Exploratioun an technesch Innovatioun, huet d'Synthesetechnologie vun der héijer Rengheet ZnGeP2 polykristallin, d'Wuesstemstechnologie vu grousser Gréisst a qualitativ héichwäerteger ZnGeP2 a Kristallorientéierung an héichpräzis Veraarbechtungstechnologie beherrscht; kann ZnGeP2-Geräter an originelle Kristalle a Masseskala mat héijer Uniformitéit, nidderegen Absorptiounskoeffizient, gudder Stabilitéit an héijer Konversiounseffizienz ubidden. Zur selwechter Zäit hu mir e ganze Set vu Kristallleistungstestplattform etabléiert, déi eis d'Fäegkeet mécht Kristallleistungstestservicer fir Clienten ze bidden.
Uwendungen
● Zweet, drëtt a véiert harmonesch Generatioun vun CO2-Laser
● Optesch parametresch Generatioun mat Pompelen op enger Wellelängt vun 2,0 µm
● Zweet harmonesch Generatioun vun CO-Laser
● Produzéiere kohärent Stralung am Submillimeterberäich vu 70,0 µm bis 1000 µm
● Generatioun vun kombinéiert Frequenzen vun CO2- an CO-Laser Stralung an aner Laser schaffen an der Kristallsglas produzéiert Transparenz Regioun.
Basis Eegeschaften
| Chemesch | ZnGeP2 |
| Crystal Symmetrie a Klass | tetragonal, -42m |
| Gitter Parameteren | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| Dicht | 4,162 g/cm3 |
| Mohs Hardness | 5.5 |
| Optesch Klass | Positiv uniaxial |
| Benotzerdefinéiert Transmissioun Range | 2,0 um - 10,0 um |
| Thermesch Konduktivitéit @T= 293K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| Thermesch Erweiderung @ T = 293 K bis 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 (∥ c) |
Technesch Parameteren
| Duerchmiesser Toleranz | +0/-0,1 mm |
| Längt Toleranz | ± 0,1 mm |
| Orientéierung Toleranz | <30 armin |
| Uewerfläch Qualitéit | 20-10 SD |
| Flaachheet | <λ/4@632.8 nm |
| Parallelismus | <30 arcsec |
| Perpendicularitéit | <5 armin |
| Chamfer | <0,1 mm x 45° |
| Transparenzbereich | 0,75 - 12,0 ?m |
| Net-linear Koeffizienten | d36 = 68,9 pm/V (op 10,6 μm) d36 = 75.0 pm/V (op 9.6 μm) |
| Schued Schwell | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
