-
Photodetektor fir Laser-Abstandsmiessung a Geschwindegkeetsmiessung
De Spektralberäich vum InGaAs-Material läit tëscht 900 an 1700 nm, an de Multiplikatiounsrauschen ass méi niddereg wéi dee vum Germaniummaterial. Et gëtt allgemeng als Multiplikatiounsregioun fir Heterostrukturdioden benotzt. D'Material ass gëeegent fir Héichgeschwindegkeets-Glasfaserkommunikatioun, a kommerziell Produkter hunn Geschwindegkeete vun 10 Gbit/s oder méi héich erreecht.
Produkter
Si&InGaAs, PIN&APD, Wellelängt: 400-1100nm, 900-1700nm. (Gëeegent fir Laser-Abstandsmiessung, Geschwindegkeetsmiessung, Wénkelmiessung, photoelektresch Detektioun a photoelektresch Géigemoosssystemer.)