CVDass dat Material mat der héchster Wärmeleitfäegkeet ënner de bekannte Naturstoffer. D'Wärmeleitfäegkeet vum CVD-Diamantmaterial ass bis zu 2200 W/mK héich, wat 5 Mol sou héich ass wéi dee vu Koffer. Et ass e Wärmeofleedungsmaterial mat ultra-héijer Wärmeleitfäegkeet. Déi ultra-héich Wärmeleitfäegkeet vum CVD-Diamant. Et kann d'Hëtzt, déi vum Apparat generéiert gëtt, effektiv ofleeden an ass dat bescht Wärmemanagementmaterial fir Apparater mat héijer Hëtzeflussdicht.
D'Uwendung vun Hallefleiter-Energiegeräter vun der drëtter Generatioun an Héichspannungs- a Héichfrequenzfelder ass lues a lues zum Schwéierpunkt vun der Entwécklung vun der globaler Hallefleiterindustrie ginn. GaN-Geräter gi wäit verbreet an Héichfrequenz- a Leeschtungsfelder wéi 5G-Kommunikatioun a Radardetektioun benotzt. Mat der Erhéijung vun der Leeschtungsdicht vun den Apparater an der Miniaturiséierung klëmmt den Selbsterhëtzungseffekt am aktiven Beräich vum Apparatchip séier, wouduerch d'Mobilitéit vum Träger ofhëlt an d'statesch 1-V-Charakteristike vum Apparat ofgeschwächt ginn, verschidde Leeschtungsindikatoren séier verschlechteren, an d'Zouverlässegkeet a Stabilitéit vum Apparat ginn eescht a Fro gestallt. D'Near-Junction-Integratioun vun CVD-Diamant- a GaN-Chips mat ultrahéijer thermescher Konduktivitéit kann d'Hëtzt, déi vum Apparat generéiert gëtt, effektiv ofleeden, d'Zouverlässegkeet an d'Liewensdauer vum Apparat verbesseren a kompakt elektronesch Systemer realiséieren.
CVD-Diamant mat ultra-héijer Wärmeleitfäegkeet ass dat bescht Wärmeofleedungsmaterial fir héichleistungsfäeg, héich performant, miniaturiséiert an héich integréiert elektronesch Komponenten. Et gëtt wäit verbreet an der 5G-Kommunikatioun, der nationaler Verteidegung, der Loft- a Raumfaart, dem Transport an anere Beräicher benotzt. Typesch Uwendungsfäll a Leeschtungsvirdeeler vun Diamantmaterialien mat ultra-héijer Wärmeleitfäegkeet:
1. Hëtzeofbau vum Radar GaN RF-Gerät; (héich Leeschtung, héich Frequenz, Miniaturiséierung)
2. Hëtzeverdeelung duerch Hallefleiterlaser; (héich Ausgangsleistung, héich elektrooptesch Konversiounseffizienz)
3. Hëtzeofbau vun der Basisstatioun fir Héichfrequenzkommunikatioun; (héich Leeschtung, héich Frequenz)
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 10. Oktober 2023