Nd: YVO4 – Diode Pompel Solid-State Laser

Kuerz Beschreiwung:

Nd: YVO4 ass ee vun den effizientesten Laser-Host-Kristallen déi aktuell existéieren fir Diode Laser-gepompelt Solid-State Laser. Nd: YVO4 ass en exzellente Kristall fir héich Kraaft, stabil a kosteneffektiv Diode gepompelt Solid-State Laser.

Ufro elo Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Produit Beschreiwung

Nd: YVO4 kann mächteg a stabil IR produzéiere, gréng, blo Laser mam Design vun Nd: YVO4 a Frequenz Verdueblung Kristaller. Fir d'Applikatiounen an deenen méi kompakten Design an de Single-longitudinal-Modus Output gebraucht ginn, weist Nd: YVO4 seng besonnesch Virdeeler iwwer aner allgemeng benotzt Laserkristaller.

Virdeeler vum Nd: YVO4

● Niddereg lasende Schwelle an héich Steigungseffizienz
● Grouss stimuléiert Emissioun Querschnitt bei lasende Wellelängt
● Héich Absorptioun iwwer eng breet Pompelwellelängtbandbreedung
● Optesch uniaxial a grouss birefringence emittéiert polariséiert Laser
● Niddereg Ofhängegkeet vun der Pompelwellelängt an tendéieren zu Single Modus Output

Basis Eegeschaften

Atomdicht	~1,37x1020 Atomen/cm2
Kristallstruktur	Zirkon Tetragonal, Raumgrupp D4h, a=b=7.118, c=6.293
Dicht	4,22 g/cm2
Mohs Hardness	Glasähnlech, 4,6 ~ 5
Thermesch Erweiderung Koeffizient	αa=4.43x10-6/K, αc=11.37x10-6/K
Schmelzpunkt	1810 ± 25 ℃
Lasing Wellelängten	914 nm, 1064 nm, 1342 nm
thermesch optesch Koeffizient	dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K
Stimuléiert Emissioun Querschnitt	25.0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluorescent Liewensdauer	90 ms (ongeféier 50 ms fir 2 atm% Nd dotéiert) @808nm
Absorptiounskoeffizient	31,4 cm-1 @ 808 nm
Absorptioun Längt	0,32 mm @ 808 nm
Intrinsesch Verloscht	Manner 0,1% cm-1, @1064 nm
Bandwidth gewannen	0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm
Polariséiert Laser Emissioun	parallel zur optescher Achs (c-Achs)
Diode gepompelt Optesch zu Optesch Effizienz	> 60%
Sellmeier Equation (fir pure YVO4 Kristaller)	no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
	no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Technesch Parameteren

Nd Dotatioun Konzentratioun	0,2 ~ 3 atm%
Dopant Toleranz	bannent 10% vun der Konzentratioun
Längt	0,02 ~ 20 mm
Beschichtung Spezifizéierung	AR @ 1064nm, R< 0,1% & HT @ 808nm, T>95%
	HR @ 1064nm, R>99,8% & HT @ 808nm, T>9%
	HR @ 1064nm, R>99.8%, HR @ 532 nm, R>99% & HT @ 808 nm, T>95%
Orientéierung	a-Schnëtt kristallin Richtung (+/-5 ℃)
Dimensiounstoleranz	+/-0.1mm (typesch), Héich Präzisioun +/-0.005mm kann op Ufro verfügbar sinn.
Wavefront Verzerrung	<λ/8 bei 633nm
Uewerfläch Qualitéit	Besser wéi 20/10 Scratch / Dig pro MIL-O-1380A
Parallelismus	< 10 Bousekonnen