Nd:YVO4 – Diodengepompelte Festkierperlaser

Kuerz Beschreiwung:

Nd:YVO4 ass ee vun den effizientesten Laser-Hostkristaller, déi et de Moment fir Diodenlaser-gepompelte Festkierperlaser gëtt. Nd:YVO4 ass en exzellente Kristall fir héichleeschtungsfäeg, stabil a kosteneffektiv Dioden-gepompelte Festkierperlaser.

Ufro elo Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Produktbeschreiwung

Nd:YVO4 kann mächteg a stabil IR-, gréng a blo Laser mat dem Design vun Nd:YVO4 a Frequenzverduebelungskristaller produzéieren. Fir Uwendungen, bei deenen e méi kompakten Design an eng Single-Longitudinal-Modus-Ausgab gebraucht ginn, weist Nd:YVO4 seng besonnesch Virdeeler géintiwwer anere gängegen Laserkristaller.

Virdeeler vun Nd:YVO4

● Niddreg Laserschwell an héich Steigungseffizienz
● Groussen stimuléierten Emissiounsquerschnitt bei der Laserwellenlängt
● Héich Absorptioun iwwer eng breet Pompelwellenlängtbandbreet
● Optesch uniaxial a grouss Duebelbrechung emittéiert polariséierte Laser
● Niddreg Ofhängegkeet vun der Pompelwellenlängt a tendéiert zu engem Single-Modus-Ausgang

Basis Eegeschaften

Atomdicht	~1,37x1020 Atomer/cm2
Kristallstruktur	Zirkon-Tetragonal, Raumgrupp D4h, a=b=7,118, c=6,293
Dicht	4,22 g/cm²
Mohs-Härkeet	Glasähnlech, 4,6 ~ 5
Thermesch Expansioun Koeffizient	αa=4,43x10⁻⁶/K, αc=11,37x10⁻⁶/K
Schmelzpunkt	1810 ± 25 ℃
Laserwellenlängten	914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Thermesch Optik Koeffizient	dna/dT=8,5x10⁻⁶/K, dnc/dT=3,0x10⁻⁶/K
Stimuléiert Emissioun Querschnitt	25,0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluoreszent Liewensdauer	90 ms (ongeféier 50 ms fir 2 atm% Nd dotiert) @ 808 nm
Absorptiounskoeffizient	31,4 cm-1 @ 808 nm
Absorptiounslängt	0,32 mm @ 808 nm
Intrinsesche Verloscht	Manner 0,1% cm-1, @1064 nm
Bandbreet gewannen	0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm
Polariséierte Laser Emissioun	parallel zur optescher Achs (c-Achs)
Diod gepompelt Optesch zu Optesch Effizienz	> 60%
Sellmeier-Equatioun (fir reng YVO4-Kristaller)	no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
	no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Technesch Parameteren

Nd-Dotéierungsmëttelkonzentratioun	0,2 ~ 3 atm%
Dopantientoleranz	bannent 10% vun der Konzentratioun
Längt	0,02 ~ 20mm
Beschichtungsspezifikatioun	AR bei 1064nm, R< 0,1% & HT bei 808nm, T>95%
	HR bei 1064nm, R>99,8% & HT bei 808nm, T>9%
	HR bei 1064 nm, R>99,8%, HR bei 532 nm, R>99% & HT bei 808 nm, T>95%
Orientéierung	a-geschniddene Kristallrichtung (+/-5℃)
Dimensiounstoleranz	+/-0,1 mm (typesch), Héichpräzisioun +/-0,005 mm kann op Ufro verfügbar sinn.
Wellefrontverzerrung	<λ/8 bei 633 nm
Uewerflächenqualitéit	Besser wéi 20/10 Scratch/Dig laut MIL-O-1380A
Parallelismus	< 10 Bousekonnen