Er,YB:YAB-Er, Yb Co – Dotéiert Phosphatglas
Produktbeschreiwung
(Er,Yb: Phosphatglas) kombinéiert déi laang Liewensdauer (~8 ms) vum Laserniveau op 4I 13/2 Er 3+ mat der gerénger (2-3 ms) Liewensdauer vum 4I 11/2 Er 3+ Niveau a kann e Resonanz-angeregten Zoustand F 5/2 mat Yb 3+ 2 generéieren. Déi séier netradiativ Multiphonon-Relaxatioun vu 4I 11/2 op 4I 13/2 wéinst Interaktiounen tëscht Yb 3+ an Er 3+ Ionen, déi bei 2F 5/2 respektiv 4I 11/2 angeregt sinn, reduzéiert dësen Energieniveau de Réckenergietransfer an d'Up-Conversion-Verloschter däitlech.
Er3+, Yb3+ co-dotiert Yttriumaluminatborat (Er,Yb:YAB) Kristaller sinn allgemeng benotzt Er,Yb:Phosphatglasalternativen a kënnen als "aensécher" Aktivmedien (1,5-1,6 μm) Laser mat héijer duerchschnëttlecher Ausgangsleistung am CW- a Pulsmodi benotzt ginn. Si ass charakteriséiert duerch eng héich thermesch Leetfäegkeet vu 7,7 Wm-1 K-1 a 6 Wm-1 K-1 laanscht d'a-Achs respektiv d'c-Achs. Si hunn och en héicheffizienten Yb3+→Er3+ Energietransfer (~94%) an e schwaache Upconversiounsverloscht, deen op déi ganz kuerz Liewensdauer (~80 ns) vum 4I11/2 ugereegten Zoustand zougeschriwwen gëtt wéinst dem Phononenergie vum Wirt. Déi maximal Phononenergie ass héich (vmax ~1500 cm-1). E staarkt an breet Absorptiounsband (ongeféier 17 nm) gouf bei 976 nm observéiert, wat mam Emissiounsspektrum vun enger InGaAs Laserdiod iwwereneestëmmt.
Basis Eegeschaften
Kristallsektioun | (1×1)-(10×10)mm² |
Kristalldéckt | 0,5-5 mm |
Dimensiounstoleranz | ±0,1 mm |
Wellefrontverzerrung | ≤λ /8@633nm |
Fäerdeg | 10/5 (MIL-PRF-13830B) |
Flaachheet | ≤λ /6@633nm |
Parallelismus | besser wéi 10 Bousekonnen |