fot_bg01

Produiten

Yb: YAG–1030 Nm Laser Crystal Verspriechend Laser-aktivt Material

Kuerz Beschreiwung:

Yb:YAG ass ee vun de villverspriechendste laseraktive Materialien a méi gëeegent fir Diodepompelen wéi déi traditionell Nd-dotéiert Systemer. Am Verglach mat der allgemeng benotzt Nd: YAG crsytal, Yb: YAG Kristall huet eng vill méi grouss Absorptioun bandwidth thermesch Gestioun Ufuerderunge fir diode Laser reduzéieren, eng méi ieweschte-Laser Niveau Liewensdauer, dräi bis véier mol manner thermesch Luede pro Eenheet Pompel Muecht.


Produit Detailer

Produit Tags

Produit Beschreiwung

Yb: YAG Kristall gëtt erwaart Nd ze ersetzen: YAG Kristall fir héich Kraaft Diode-gepompelt Laser an aner potenziell Uwendungen.

Yb: YAG weist grouss Verspriechen als héich Kraaft Laser Material. Verschidde Applikatiounen ginn am Beräich vun industrielle Laser entwéckelt, wéi zum Beispill Metallschneiden a Schweißen. Mat héijer Qualitéit Yb:YAG elo verfügbar, ginn zousätzlech Felder an Uwendungen exploréiert.

Virdeeler vum Yb:YAG Crystal

● Ganz niddereg Fraktiounsheizung, manner wéi 11%
● Ganz héich Steigungseffizienz
● Breet Absorptiounsbänner, ongeféier 8nm@940nm
● Keng opgereegt-Staat Absorptioun oder Up-Konversioun
● Gemittlech gepompelt vun zouverléissege InGaAs Dioden bei 940nm (oder 970nm)
● Héich thermesch Konduktivitéit a grouss mechanesch Kraaft
● Héich optesch Qualitéit

Uwendungen

Mat enger breet Pompel Band an excellent Emissioun Querschnëtt Yb: YAG ass en ideale Kristall fir Diode Pompelstatiounen.
Héich Output Power 1.029 1mm
Laser Material fir Diode Pompelstatiounen
Materialveraarbechtung, Schweißen a Schneiden

Basis Eegeschaften

Chemesch Formel Y3Al5O12:Yb (0,1% bis 15% Yb)
Kristallstruktur Kubik
Ausgangswellelängt 1.029 um
Laser Aktioun 3 Niveau Laser
Emissioun Liewensdauer 951 eis
Brechungsindex 1,8 @ 632 nm
Absorptioun Bands 930 nm bis 945 nm
Pompel Wellelängt 9 40nm
Absorptiounsband iwwer Pompelwellelängt 10 nm
Schmelzpunkt 1970°C
Dicht 4,56 g/cm3
Mohs Hardness 8.5
Gitter Konstanten 12.01 Uhr
Thermal Expansiounskoeffizient 7,8x10-6 /K , [111], 0-250°C
Thermesch Konduktivitéit 14 Ws /m /K @ 20°C

Technesch Parameteren

Produit Numm Yb: JAG
Orientéierung bannent 5°
Duerchmiesser 3 mm bis 10 mm
Duerchmiesser Toleranz +0,0 mm/- 0,05 mm
Längt 30 mm bis 150 mm
Längt Toleranz ± 0,75 mm
Perpendicularitéit vun End Faces 5 Bogenminutten
Parallelismus vun End Gesiichter 10 Bousekonnen
Flaachheet 0,1 Welle maximal
Surface Finish bei 5X 20-10 (Schrack & Dig)
Faass Finish 400 gr
Enn Gesiicht Bevel 0,075 mm bis 0,12 mm bei 45° Wénkel
Chips Nee Chips erlaabt op Enn Gesiicht vun Staang; Chip mat maximaler Längt vun 0,3 mm erlaabt an der Géigend vu Schräg- a Faassflächen ze leien.
Kloer Ouverture Zentral 95%
Beschichtungen Standardbeschichtung ass AR bei 1,029 um mat R<0,25% all Gesiicht. Aner Beschichtungen verfügbar.

  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift äre Message hei a schéckt en un eis